Número de Producto del Fabricante:
MJD112-1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
MJD112-1G-DG
Descripción:
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Through Hole I-PAK
Inventario:
153 Pcs Nuevos Originales En Stock
12853107
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ENVIAR
MJD112-1G Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN - Darlington
Corriente - Colector (Ic) (Max)
2 A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
100 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Corriente - Corte del colector (máx.)
20µA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
1000 @ 2A, 3V
Potencia - Máx.
1.75 W
Frecuencia - Transición
25MHz
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paquete de dispositivos del proveedor
I-PAK
Número de producto base
MJD112
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
ONSONSMJD112-1G
MJD1121G
=MJD112
MJD112-1GOS
2156-MJD112-1G-OS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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