Número de Producto del Fabricante:
MTP2P50E
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
MTP2P50E-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 500V 2A TO220AB
Descripción Detallada:
P-Channel 500 V 2A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12841289
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
MTP2P50E Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1183 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
MTP2P
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
MTP2P50EOS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
NVMFS5C468NWFT1G
MOSFET N-CH 40V 12A/35A 5DFN
NTTFS4C02NTAG
MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN
NVTFS5116PLWFTWG
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
