Número de Producto del Fabricante:
NTHD2102PT1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTHD2102PT1G-DG
Descripción:
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
Descripción Detallada:
Mosfet Array 8V 3.4A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Inventario:
12841087
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ENVIAR
NTHD2102PT1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
8V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.4A
rds activados (máx.) @ id, vgs
58mOhm @ 3.4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
16nC @ 2.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
715pF @ 6.4V
Potencia - Máx.
1.1W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivos del proveedor
ChipFET™
Número de producto base
NTHD21
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
NTHD2102PT1GOSTR
NTHD2102PT1GOS
=NTHD2102PT1GOSCT-DG
NTHD2102PT1GOSCT
NTHD2102PT1GOS-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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