Número de Producto del Fabricante:
NVD5117PLT4G-VF01
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NVD5117PLT4G-VF01-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 11A (Ta), 61A (Tc) 4.1W (Ta), 118W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventario:
12857770
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Cantidad
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ENVIAR
NVD5117PLT4G-VF01 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Ta), 61A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
16mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4800 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
4.1W (Ta), 118W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DPAK
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
NVD5117
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
NVD5117PLT4G-VF01TR
NVD5117PLT4G-VF01DKR
2832-NVD5117PLT4G-VF01TR
NVD5117PLT4G-VF01CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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