Número de Producto del Fabricante:
IMH2AT110
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
IMH2AT110-DG
Descripción:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Inventario:
13524163
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ENVIAR
IMH2AT110 Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de Transistores Bipolares, Pre-Biasados
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V
Resistencia - Base (R1)
47kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
47kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
68 @ 5mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
500nA
Frecuencia - Transición
250MHz
Potencia - Máx.
300mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SC-74, SOT-457
Paquete de dispositivos del proveedor
SMT6
Número de producto base
IMH2
Hoja de Datos y Documentos
Recursos de diseño
Documentos de confiabilidad
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
IMH2AT110TR
IMH2AT110DKR
IMH2AT110CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
RN4604(TE85L,F)
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
1828
NÚMERO DE PIEZA
RN4604(TE85L,F)-DG
PRECIO UNITARIO
0.05
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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