Número de Producto del Fabricante:
RT1E040RPTR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RT1E040RPTR-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 4A 8TSST
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 4A (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
Inventario:
13525624
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ENVIAR
RT1E040RPTR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
45mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1000 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
550mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-TSST
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Número de producto base
RT1E040
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Recursos de diseño
Documentos de confiabilidad
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
RT1E040RPCT
RT1E040RPTRDKR
RT1E040RPTRDKR-ND
RT1E040RPDKR
RT1E040RPTRTR
RT1E040RPTRCT
RT1E040RPTRCT-ND
RT1E040RPTRTR-ND
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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