Número de Producto del Fabricante:
RUR020N02TL
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RUR020N02TL-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount TSMT3
Inventario:
9907 Pcs Nuevos Originales En Stock
13525565
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ENVIAR
RUR020N02TL Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
105mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
180 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
540mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TSMT3
Paquete / Caja
SC-96
Número de producto base
RUR020
Hoja de Datos y Documentos
Recursos de diseño
Documentos de confiabilidad
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
RUR020N02MGTL
RUR020N02TLTR
RUR020N02TL-ND
Q8382218
RUR020N02TLCT
RUR020N02TLDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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