Número de Producto del Fabricante:
US6M2GTR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
US6M2GTR-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V, 20V 1.5A, 1A 1W Surface Mount TUMT6
Inventario:
13526172
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ENVIAR
US6M2GTR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V, 20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.5A, 1A
rds activados (máx.) @ id, vgs
240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
80pF @ 10V, 150pF @ 10V
Potencia - Máx.
1W
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-SMD, Flat Leads
Paquete de dispositivos del proveedor
TUMT6
Número de producto base
US6M2
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
US6M2GDKR
US6M2GCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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