Número de Producto del Fabricante:
TPCA8109(TE12L1,V
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPCA8109(TE12L1,V-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 24A 8SOP
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 24A (Ta) 1.6W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventario:
12943192
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
fOJi
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TPCA8109(TE12L1,V Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
-
Serie
U-MOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
24A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2400 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.6W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP Advance (5x5)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
TPCA8109
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
264-TPCA8109(TE12L1VTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
BSZ0911LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
BSZ0702LSATMA1
MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
UPA2821T1L-E1-AT
MOSFET N-CH 30V 26A 8HWSON
