IRFDC20PBF

Número de Producto del Fabricante:

IRFDC20PBF

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

IRFDC20PBF-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP

Descripción Detallada:

N-Channel 600 V 320mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Inventario:

5886 Pcs Nuevos Originales En Stock

12908571

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IRFDC20PBF Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Vishay

Embalaje

Tube

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

600 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

320mA (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

4.4Ohm @ 190mA, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

18 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

350 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

1W (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

4-HVMDIP

Paquete / Caja

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Número de producto base

IRFDC20

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

100

Otros nombres

*IRFDC20PBF

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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