IRFDC20PBF
Número de Producto del Fabricante:

IRFDC20PBF

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

IRFDC20PBF-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 320mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Inventario:

5886 Pcs Nuevos Originales En Stock
12908571
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IRFDC20PBF Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
320mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.4Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
4-HVMDIP
Paquete / Caja
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Número de producto base
IRFDC20

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
100
Otros nombres
*IRFDC20PBF

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
littelfuse

IXFK120N25P

MOSFET N-CH 250V 120A TO264AA

vishay-siliconix

IRF9630SPBF

MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK

vishay-siliconix

IRFR214TRRPBF

MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK

littelfuse

IXFR32N80Q3

MOSFET N-CH 800V 24A ISOPLUS247