Número de Producto del Fabricante:
IRFD224
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
IRFD224-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 630mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventario:
13053325
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ENVIAR
IRFD224 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
-
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
630mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 380mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
260 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
4-HVMDIP
Paquete / Caja
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Número de producto base
IRFD224
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
100
Otros nombres
*IRFD224
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFD224PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
2250
NÚMERO DE PIEZA
IRFD224PBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.51
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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