Número de Producto del Fabricante:
EPC2110
Product Overview
Fabricante:
EPC
Número de pieza:
EPC2110-DG
Descripción:
GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Descripción Detallada:
Mosfet Array 120V 3.4A Die
Inventario:
14435 Pcs Nuevos Originales En Stock
12795187
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ENVIAR
EPC2110 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
EPC
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
eGaN®
Estado del producto
Active
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Configuración
2 N-Channel (Dual) Common Source
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
120V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.4A
rds activados (máx.) @ id, vgs
60mOhm @ 4A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 700µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.8nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
80pF @ 60V
Potencia - Máx.
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Caja
Die
Paquete de dispositivos del proveedor
Die
Número de producto base
EPC211
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
917-1152-6
917-1152-2
917-1152-1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Certificación DIGI
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