Número de Producto del Fabricante:
BS107ARL1
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
BS107ARL1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92 (TO-226)
Inventario:
12847688
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ENVIAR
BS107ARL1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
250mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.4Ohm @ 250mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
60 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
350mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92 (TO-226)
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Número de producto base
BS107
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
BS107P
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
1875
NÚMERO DE PIEZA
BS107P-DG
PRECIO UNITARIO
0.19
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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