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Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
FDS3512
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDS3512-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12837422
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ENVIAR
FDS3512 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
70mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
634 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
FDS35
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
FDS3512
Hoja de datos HTML
FDS3512-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FDS3512TR
1990-FDS3512TR
FDS3512-DG
1990-FDS3512CT
2832-FDS3512TR
FDS3512CT
1990-FDS3512DKR
FDS3512DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDS3590
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
1843
NÚMERO DE PIEZA
FDS3590-DG
PRECIO UNITARIO
0.30
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
FDS3512
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
FDS3512-DG
PRECIO UNITARIO
1.06
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
NÚMERO DE PARTE
RS6N120BHTB1
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
1763
NÚMERO DE PIEZA
RS6N120BHTB1-DG
PRECIO UNITARIO
1.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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