RS1E280GNTB
Número de Producto del Fabricante:

RS1E280GNTB

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

Número de pieza:

RS1E280GNTB-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Inventario:

284 Pcs Nuevos Originales En Stock
12818234
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RS1E280GNTB Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
28A (Ta), 80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.6mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2300 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-HSOP
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
RS1E

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
RS1E280GNTB HSMT8 TB Taping Spec

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
846-RS1E280GNTR
RS1E280GNTBDKR
846-RS1E280GNDKR
846-RS1E280GNCT
RS1E280GNTBCT
RS1E280GNTBTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
RS1E280GNTB
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
284
NÚMERO DE PIEZA
RS1E280GNTB-DG
PRECIO UNITARIO
0.34
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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